華為 Mate 70 系列可能唔會使用中芯國際嘅首款 5nm 晶片組，而係選擇一個更精細嘅「N+3」節點。呢個節點嘅晶片密度比目前嘅麒麟 9010 更高。麒麟 9000S 幫助華為突破美國貿易禁令，係用中芯國際嘅 7nm（N+2）技術大規模生產。而麒麟 9010 則應用喺 Pura 70 系列中。對於 Mate 70 系列，有傳言指華為會使用中芯國際成功開發嘅 5nm 工藝，但最新消息顯示華為可能會選擇 N+3工藝。
N+3節點嘅優勢
新嘅麒麟 SoC 可能會限制喺中芯國際嘅 7nm 工藝，但具有更高嘅晶體管數量，相比之前嘅晶片有一定優勢。雖然 Mate 70 系列被傳唔會轉向中芯國際嘅 5nm 工藝，但麒麟 9100 有可能保留喺 7nm 工藝上。呢個決定背後有實際原因，假設華為已經做咗選擇。用較舊嘅 DUV 機器而唔係 EUV 設備大規模生產 5nm 晶圓，會導致生產成本高、良率低。
簡單嚟講，從中芯國際生產基地出嚟嘅每塊 5nm 晶圓成本會非常高，所以華為可能認為用呢個技術嚟生產手機晶片組嘅成本唔合理。呢個挫折意味住麒麟 9100 可能會用 7nm 工藝製造，但使用 N+3 節點，佢嘅晶體管密度會高過麒麟 9010 同麒麟 9000S。呢個改進意味住麒麟 9100 會具有更高嘅「每瓦性能」同更好嘅電源效率。
華為未來的技術路線
除咗即將為 Mate 70 系列提供動力嘅新晶片組外，華為據傳亦喺測試相同嘅 N+3 技術用於其 ARM 架構硬件。不幸的是，就光刻技術而言，華為可能無法快速縮小同 TSMC 嘅性能差距，因為 TSMC 首批 3nm「N3E」 晶片組（如驍龍 8 Gen 4 、天璣 9400 同蘋果 A18 ）將於今年稍後推出。
華為選擇 N+3 節點，顯示出佢哋在成本效益與技術進步之間嘅權衡。呢個決定可能會令華為喺短期內保持競爭力，但長遠嚟講，佢哋仍然需要面對來自 TSMC 同其他先進技術嘅挑戰。
華為 Mate 70 系列選擇更精細嘅 N+3 節點，而唔係中芯國際嘅首款 5nm 晶片組，顯示咗華為對成本效益同技術進步嘅深思熟慮。未來，華為需要繼續加強技術研發，以應對來自全球市場嘅競爭。