中國喺 深紫外線 （DUV） 光刻機 技術方面取得重大突破，可以生產 8納米 及以下嘅晶片。中國工業和信息化部（工信部）近日發佈咗呢一消息，並正積極推廣應用呢項技術。
工信部喺9日在其官網發佈咗關於《重大技術裝備進步及應用目錄（2024年版）》嘅通知，鼓勵地方政府加強產業、金融、科技等各方面嘅政策協同支持。
工信部強調，重大技術裝備係國之重器。 「中國首臺（套）重大技術裝備」係指喺國內實現重大技術突破、擁有自主知識產權、但市場業績尚未取得顯著突破嘅裝備產品，包括整機、核心系統和關鍵部件。
國產ArF光刻機 突破8納米製程
目錄顯示，喺集成電路生產設備中，其中一項引人注目嘅係「ArF光刻機」（DUV光刻機）。其核心技術指標係「矽片直徑300毫米、曝光波長248納米、解析度≤65納米、套刻精度≤8納米」，意味住國產DUV光刻機可以製造8納米及以下嘅晶片。
據悉，國產ArF光刻機嘅研發主要由幾間中國領先嘅半導體設備製造商和研究機構完成，其中包括中微半導體設備（AMEC）和上海微電子裝備（SMEE）。中國科學院微電子研究所喺呢方面亦作出咗重要貢獻。
美荷限制出口 中國或減ASML依賴
本月5日，美國宣佈收緊對製造先進半導體設備所需嘅機器嘅出口管制。荷蘭政府隨即喺翌日宣佈，擴大對半導體製造設備出口嘅限制。
路透社報道，阿斯麥（ASML）嘅1970i和1980i DUV光刻機將受到呢啲出口中國限制嘅影響。呢兩款機型係ASML DUV產品線中嘅中端型號。
據台灣中央社報道，如果中國成功實現8納米及以下製程嘅DUV光刻機國產化，未來大部分晶片製造將唔再依賴ASML。不過，截至目前，中國政府和相關製造商尚未就此事作出正式宣布。